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SI4435DYTRPBF库存信息

更新时间:2020-12-04 09:32:00
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SI4435DYTRPBF中文资料

功能描述:MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4435DYTRPBF PDF资料

型号: SI4435DYTRPBF 前往资料站下载: 下载
原厂全称: International Rectifier 原厂简称: IRF
页数: 8 文件大小: 85 /kb
说明: Ultra Low On-Resistance